試料面上にセットされた遮蔽板にイオンビームを垂直に照射し、イオン照射を受けエッチングされる領域と、社団版で遮断される領域の境界に沿って断面を形成させる試料作製装置です。操作パネルにて試料加工状態を観察できます。
- イオン加速電圧:2 ~ 6kV
- イオンビーム径半値幅 :500μm(加速電圧:6kV、試料:Si)
- ミリングスピード:100μm/H以上(2時間の平均値、加速電圧:6kV、試料:Si、エッジ距離:100μm)
- 最大搭載試料サイズ :幅11mm×長さ10mm×厚さ2mm
試料面上にセットされた遮蔽板にイオンビームを垂直に照射し、イオン照射を受けエッチングされる領域と、社団版で遮断される領域の境界に沿って断面を形成させる試料作製装置です。操作パネルにて試料加工状態を観察できます。