| 仕 様 | ||
|---|---|---|
| FIB | 二次電子像分解能（C.P） | 4 nm @ 30 kV |
| 加速電圧 | 1,2,3 kV –, 5-30 kV | |
| プローブ 電流範囲 |
90 nA | |
| イオン源 | GA液体金属イオン源 | |
| SEM | 二次電子像分解能（C.P） | 1.1 nm @ 20 kV、 1.5 nm @ 10kV、 2.5 nm @ 1kV |
| 加速電圧 | 0.1kV – 30 kV | |
| 電子銃 | 熱電界放射型電子銃 | |
| 試料サイズ | 4mm×4mm×2mm | |
| オプション | Ar/Xeイオンビームシステム | |
| EDS（エネルギー分散型X線分析装置） | ||
| EBSD（電子線後方散乱回折分析装置） | ||
