高速加工観察分析装置 MI-4000L (FIB-SEM)

MI-4000L
仕 様
FIB 二次電子像分解能(C.P) 4 nm @ 30 kV
加速電圧 1,2,3 kV –, 5-30 kV
プローブ
電流範囲
90 nA
イオン源 GA液体金属イオン源
SEM 二次電子像分解能(C.P) 1.1 nm @ 20 kV、
1.5 nm @ 10kV、
2.5 nm @ 1kV
加速電圧 0.1kV – 30 kV
電子銃 熱電界放射型電子銃
試料サイズ 4mm×4mm×2mm
オプション Ar/Xeイオンビームシステム
EDS(エネルギー分散型X線分析装置)
EBSD(電子線後方散乱回折分析装置)