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装置一覧
設備(設備群)名 仕 様 用 途
反応科学超高圧
走査透過電子顕微鏡
JEM 1000K RS
  • TEM点分解能:0.15nm以下
  • STEM機能プローブ径:1nm
  • 加速電圧: 1000kV, 800kV, 600kV, 400kV
  • 0.1気圧までの各種ガス環境下でのその場観察
  • EELSによる元素分析機能
  • 3D観察
反応科学超高圧電子顕微鏡は一般的な200kVの電子顕微鏡と比較して非常に厚い試料を透過することが可能です。特にこの装置の大きな特徴として各種ガスによる金属の酸化や触媒反応など化学反応をその場観察できます。 詳細
高分解能電子状態計測
走査透過型電子顕微鏡
JEM-ARM200(Cold)
(収差補正電子顕微鏡)
  • TEM点分解能:0.19nm
  • STEM機能プローブ径:有<60pm
  • 照射レンズ系に収差補正機能を搭載 
  • 加速電圧: 200,80kV
  • 冷電界放出電子銃
  • TEM, STEM, EDS, EELS
  • 電子線ホログラフィー
照射系球面収差補正装置を搭載した、世界最高のSTEM-HAADF像分解能78pmを有する原子分解能分析電子顕微鏡で、EDSもしくはEELSと兼用すると原子レベルでの元素分析が可能です。 詳細
電界放出走査
透過電子顕微鏡
JEM-10000BU
(収差補正電子顕微鏡)
  • TEM点分解能:0.11nm
  • STEM機能プローブ径:有<70pm
  • 照射レンズ系、結像レンズ系のそれぞれに収差補正機能を搭載 
  • 加速電圧: 200,80kV
  • 電界放出電子銃
  • TEM, STEM, EDS, EELS
  • 電子線ホログラフィー
照射系と対物系に球面収差補正装置を搭載した、世界最高のTEM/STEM像分解能を有する原子分解能分析電子顕微鏡で、EDSもしくはEELSと兼用すると原子レベルでの元素分析が可能です。 詳細
電子分光走査透過電子顕微鏡
EM2100M
  • TEM点分解能:0.23nm
  • STEM機能有
  • プローブ径:1.0nm
  • 加速電圧:200kV
  • EELS, 波長分散X線分光器
  • カソードルミネッセンス(CL)
  • 100K-1000Kの温度範囲で計測可
加速電圧200kVの電子顕微鏡で、EELS以外に波長分散X線分光器(WDX)が付属している。カソードルミネッセンス(CL)光も計測可能な200kV電子顕微鏡。 詳細
電界放出型透過電子顕微鏡
JEM-2100F/HK
  • TEM点分解能:0.23nm
  • STEM機能有
  • プローブ径:1.0nm
  • 加速電圧:80/120/160/200kV
  • 元素分析:EDX
  • 電界放出電子銃
TEM高分解能200kV電子顕微鏡 詳細
走査電子顕微鏡
Quanta200FEG
  • 2次電子像分解能:2nm
  • 加速電圧:0.2〜30kV
  • 元素分析:EDX
  • 電界放出電子銃
真空以外に雰囲気を制御しながらSEM観察が可能な走査型電子顕微鏡。EDSによる元素分析や試料マニピュレーション機能がある。 詳細
走査電子顕微鏡
JSM-6610A
  • 電子銃/熱電子放出W
  • TEM点分解能/<50.0nm(SEM像)
  • 分析用検出器/EDS
  • 試料ホルダー/スタンダード、断面観察用
詳細

試料作製装置群
高速加工観察分析装置
MI-4000L
(FIB-SEM)
  • 加速電圧:30kV (FIB, SEM)
  • マイクロサンプリング機能
  • FE-SEM、EDS およびEDSD機能
  • 試料断面観察
  • リアルタイムSEM・STEM観察
  • リアルタイム3D-EDS
  • リアルタイム3D-EBSD
詳細
集束イオンビーム加工機
FB-2100(FIB)
  • 加速電圧: 40kV
  • マイクロサンプリング、CAD機能
イオン銃に搭載されたGaをイオン化し、サンプルへ集束されたイオンビームとして照射し加工。 詳細
アルゴンイオン研磨装置
PIPSU
  • イオン銃:低エネルギー集束電極ペニングイオン銃 2式
  • イオンエネルギー:100eV〜8keV
  • 試料サイズ:3mm
  • 試料回転:1〜6rpmまで可変
  • XY切り替え範囲:±0.5mm
  • 試料観察:双眼顕微鏡、デジタルズームマイクロスコープ
  • 冷却ステージ:液体窒素(保持時間6〜7時間)
  • 試料冷却:-120℃まで冷却可能
  • 薄膜試料作製
  • Digital Micrographでの画像取り込み
詳細
クロスセクションポリッシャー
  • イオン加速電圧:2 〜 6kV
  • イオンビーム径半値幅 :500μm(加速電圧:6kV、試料:Si)
  • ミリングスピード:100μm/H以上(2時間の平均値、加速電圧:6kV、試料:Si、エッジ距離:100μm)
  • 最大搭載試料サイズ :幅11mm×長さ10mm×厚さ2mm
試料面上にセットされた遮蔽板にイオンビームを垂直に照射し、イオン照射を受けエッチングされる領域と、社団版で遮断される領域の境界に沿って断面を形成させる試料作製装置です。操作パネルにて試料加工状態を観察できます。 詳細
低加速イオン研磨装置
Gentle Mill Model IV5
  • 低加速イオン研磨装置 Gentle Mill Model IV5
  • 基本仕様:加速電圧0.1〜2kV
  • 試料傾斜角:0〜45°
  • 用途:ダメージ層の除去
詳細
ウルトラミクロトーム
  • TEMで要求される高品質な超薄切片の作製
  • SEM等で要求される高い面精度の断面作製
詳細
その他 試料作製装置群 切断、機械研磨、化学研磨、FIB用サンプル加工等、無機材料系試料作製のための各種装置群 断面試料作製 詳細
当施設の設備
反応科学超高圧走査透過電子顕微鏡
収差補正電子顕微鏡(冷電界放出電子銃)
収差補正電子顕微鏡(電界放出電子銃)
電子分光走査透過電子顕微鏡
高分解能分析電子顕微鏡
走査電子顕微鏡

試料作製装置群
高速加工観察分析装置
集束イオンビーム加工機
アルゴンイオン研磨装置
ウルトラミクロトーム
試料作製装置群
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